Zum Katalog

BSS138-7-F

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1, 0,03 € net

Technische Daten

FET-TypN-Kanal
TechnologieMOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs3,5Ohm bei 220mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id1,5V bei 250µA
Vgs (Max.)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds50 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)300mW (Ta)
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäusetyp vom LieferantenSOT-23-3
Gehäuse / HülleTO-236-3, SC-59, SOT-23-3