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MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated

Diodes Incorporated MMBTH10-7-F

HF-Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Oberflächenmontage SOT-23-3

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1, 0,08 € net

Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Status der KomponenteAktiv
Transistor-TypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Leistung - Max.300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce60 bei 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / HülleTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom LieferantenSOT-23-3
Basis-ProduktnummerMMBTH10