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IGB50N65S5ATMA1

Infineon Technologies

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1, 0,92 € net

Technische Daten

IGBT-TypTrench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)200 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic1,7V bei 15V, 50A
Leistung - Max.270 W
Schaltenergie1,23mJ (Ein), 740µJ (Aus)
EingangstypStandard
Gate-Ladung120 nC
Td (on/off) bei 25°C20ns/139ns
Testbedingung400V, 50A, 8,2Ohm, 15V
Betriebstemperatur40°C bis 175°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / HülleTO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Gehäusetyp vom LieferantenPG-TO263-3