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FII30-12E

IXYS

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1

Technische Daten

IGBT-TypNPT
KonfigurationHalbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)33 A
Leistung - Max.150 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic2,9V bei 15V, 20A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)200 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce1.2 nF @ 25 V
EingangStandard
NTC-ThermistorNein
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypDurchkontaktierung
Gehäuse / Hüllei4-Pac™-5
Gehäusetyp vom LieferantenISOPLUS i4-PAC™