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FII50-12E

IXYS

IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1

Technische Daten

IGBT-TypNPT
KonfigurationHalbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50 A
Leistung - Max.200 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic2,6V bei 15V, 30A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)400 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce2 nF @ 25 V
EingangStandard
NTC-ThermistorNein
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypDurchkontaktierung
Gehäuse / Hüllei4-Pac™-5
Gehäusetyp vom LieferantenISOPLUS i4-PAC™