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IXA20PG1200DHG-TRR

IXYS

IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1

Technische Daten

IGBT-TypPT
KonfigurationHalbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32 A
Leistung - Max.130 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic2,1V bei 15V, 15A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)125 µA
EingangStandard
NTC-ThermistorNein
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / Hülle9-poliges SMD-Modul
Gehäusetyp vom LieferantenISOPLUS-SMPD™.B