Zum Katalog

IXA40PG1200DHG-TRR

IXYS

IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1

Technische Daten

IGBT-TypPT
KonfigurationHalbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)63 A
Leistung - Max.230 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic2,15V bei 15V, 35A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)150 µA
EingangStandard
NTC-ThermistorNein
Betriebstemperatur55°C bis 150°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / Hülle9-poliges SMD-Modul
Gehäusetyp vom LieferantenISOPLUS-SMPD™.B