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STGSH50M120D

STMicroelectronics

IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1, 7,98 € net

Technische Daten

KonfigurationHalbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)69 A
Leistung - Max.536 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic2,3V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)25 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce3152 pF @ 25 V
EingangStandard
NTC-ThermistorNein
Betriebstemperatur55°C bis 175°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / Hülle9-PowerSMD
Gehäusetyp vom Lieferanten9-ACEPACK SMIT