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1SV325,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC

Preisstaffeln

  • Verpackungseinheit: 1, 0,05 € net

Technische Daten

Kapazität bei Vr, F12pF bei 4V, 1MHz
Kapazitätsverhältnis4.3
Kapazitätsverhältnis-BedingungC1/C4
Spannung - Spitzensperr- (max.)10 V
DiodentypEinzeln
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypOberflächenmontage
Gehäuse / HülleSC-79, SOD-523
Gehäusetyp vom LieferantenESC