SSM3K72KCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Preisstaffeln
- Verpackungseinheit: 1, 0,03 € net
Technische Daten
| FET-Typ | N-Kanal |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 400mA (Ta) |
| Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V |
| Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,5Ohm bei 100mA, 10V |
| Vgs(th) (max.) bei Id | 2,1V bei 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 40 pF @ 10 V |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 55°C bis 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Oberflächenmontage |
| Gehäusetyp vom Lieferanten | CST3 |
| Gehäuse / Hülle | SC-101, SOT-883 |