MB6S-E3/80
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 600V 0.5A TO269AA
Preisstaffeln
- Verpackungseinheit: 1, 0,15 € net
Technische Daten
| Diodentyp | Einphasig |
|---|---|
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzensperr- (max.) | 600 V |
| Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) | 500 mA |
| Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If | 1 V @ 400 mA |
| Strom - Sperrleckstrom bei Vr | 5 µA @ 600 V |
| Betriebstemperatur | 55°C bis 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Oberflächenmontage |
| Gehäuse / Hülle | TO-269AA, 4-BESOP |
| Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-269AA (MBS) |