HGTD1N120BNS9A

IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA

Price breaks

IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	5.3 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	6 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,9V bei 15V, 1A
Leistung - Max.	60 W
Schaltenergie	70µJ (Ein), 90µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	14 nC
Td (on/off) bei 25°C	15ns/67ns
Testbedingung	960V, 1A, 82Ohm, 15V
Betriebstemperatur	55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA